划时代研发成果 一口气突破物理极限 Berkeley 实验室成功制成1nm 电晶体

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美国 Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley 实验室 ) 日前发佈一项震撼整个科技界的研究成果，宣佈成功打造了 1nm 电晶体管，无错是 1 nm ，突破一直被业界喻为制程樽颈的 7nm ，一口气跳至 1nm ，到达前所未有的物理界限。

现时市场上主流工艺制程为 14nm ，遵循摩尔定律， 2017 年正进入 10nm 工艺制程时代，积体电路上可容纳的元器件的数目持续增加，效能更高功耗更低。日前美国 Berkeley 实验室宣佈一项突破性发展，更可称为划时代科技研发。

Berkeley 实验室宣佈成功制造 1nm 电晶体管，具体来说等尺吋为人类头髮的十万分之一，其突破一直被科技界认为是物理极限的 7nm ，因电晶体大小低于 7nm ，其物理形态上就会非常集中，并产生量子隧穿效应，为晶片制造带来巨大挑战，基本上要跨越极限所需的路途十分漫长。

Berkeley 实验室所发表的 1nm 电晶体管採用奈米碳管及二硫化钼（ MoS2 ）等材料打造，奈米碳管近年受到科技界重视，一直被视为取代硅的物料，而二硫化钼主要用作引擎润滑油，近年亦被发掘用于 LED 、太阳能池或雷射等科技上。

同时， 1 nm 的电晶体仅为 2-3 个原子般大小，而负责控制逻辑门中电子的流向的奈米碳管管壁仅 1 个原子厚度，能提升电晶体性能，再以 MoS2 取代半导体的职责，于更小线宽有效控制电子流。据了解， 1 nm 工艺制程目前仍处于研发初期，真正能够应用于现实中仍有一大段距离，但此研究能提供科学界新方向及指摽，其影响深远。