Qualcomm Quick Charge 4：5 分钟快充，5 小时的装置续航力

外星人

除了Qualcomm Snapdragon 835 外，Qualcomm 还公布Quick Charge 4。

10nm 制程的Qualcomm Snapdragon 835 预期将带来更强大的效能表现，同时也将会导入Qualcomm Quick Charge 4 快充技术。

就新闻稿来说，Qualcomm Quick Charge 4 可以在5 分钟的充电时间，让装置的续航时间延长至5 小时或者是更长时间。此外，与Quick Charge 3.0 相比，使用者装置充电的速度可以获得20% 提升，而转换效率的提升更高达30%；Quick Charge 4 更结合了USB Type-C 连接埠与对USB-PD（USB Power Delivery）的支援。

Quick Charge 4 采用Qualcomm Technologies 最新版本的最佳电压智慧协商电源（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage ，INOV）管理演算法。

此外，Quick Charge 4 能更准确地测量电压、电流与温度，同时保护电池、系统、电源线与连接器。同时，透过额外保护层的增加，防治电池过度充电，并且在每一个充电周期中调整输出电流。

对应到Quick Charge 4，Qualcomm Technologies 也推出SMB1380 与SMB1381 两款电源管理晶片（PMIC）。

Qualcomm Snapdragon 835 将会是第一款导入Quick Charge 4 快充技术的SoC。